الغاليوم المنشطات هو وسيلة لمنع التحلل الناجم عن الضوء (LID), لا سيما في خلايا PERC. استخدام Ga-doped رقائق السيليكون لتطبيق الخلايا الشمسية النتائج بالتأكيد في تحسين أداء الخلايا الشمسية والوحدات الكهروضوئية، فضلا عن تحسين موثوقيتها على المدى الطويل.
مخطط تخطيطي لخلية PERC الشمسية
ووفقا للبيان الصحفي، شين إيتسو الكيميائية يحمل العديد من براءات الاختراع على المنشطات الغاليوم في بلورات السيليكون وعلى استخدام الغاليوم من نوع ف رقائق السيليكون البلورية في إنتاج الخلايا الكهروضوئية (PV).
ومن المعروف على نطاق واسع أن الخلايا الشمسية التي تستفيد من رقائق السيليكون من نوع البورون من نوع p تعاني من التحلل الناجم عن الضوء (LID). يحدث هذا في الساعات الأولى التي تتعرض فيها الخلايا الشمسية البلورية من نوع البورون من نوع البور إلى الشمس ، مما يسبب فقدان الأداء وتدهورًا عامًا لكفاءة التحويل.
ويرتبط هذا الغطاء مع تشكيل مجمع الأكسجين البورون، الذي يعمل كعيب الضارة ويقلل من طول انتشار الناقل الأقلية. على الرغم من أن الكثير من البحوث قد ذهب إلى توصيف وتخفيف الغطاء عن الأضرار حتى الآن، والخلايا الشمسية الصناعية لا تزال تعاني من أنواع مختلفة من الخسائر في الكفاءة الناجمة عن الضوء.
استخدام منشطات الغاليوم لمنع غطاء
ومع ذلك، هناك بديل صناعي للبورون اُدَنَّى السيليكون - الغاليوم ينكمش السيليكون. ويعتقد أن تكون في مأمن من الغطاء، لا سيما عندما يتم استخدامه في خلايا PERC.
في أكتوبر 2019، حصلت شركة JA Solar ومقرها الصين على حقوق الملكية الفكرية لتكنولوجيا المنشطات الخاصة بها في الغاليوم التي تستخدم في إنتاج الخلايا الكهروضوئية .. وأوضحت JA Solar أن تقنيتها الخاصة يمكن أن تخفف بشكل فعال من تأثير LID على الوحدات الكهروضوئية التي يتم تجميعها مع رقائق السيليكون من نوع P.
"استخدام Ga-doped رقائق السيليكون لتطبيق الخلايا الشمسية النتائج بالتأكيد في أداء أفضل من الخلايا الشمسية والوحدات الكهروضوئية، فضلا عن تحسين موثوقيتها على المدى الطويل"، وقال رئيس مجلس الإدارة ومجلس الإدارة جين باوفانغ.
كما تمتلك الشركة العديد من براءات الاختراع على تناول العقاقير منشطات الغاليوم في بلورات السيليكون وعلى استخدام رقائق السيليكون البلورية من نوع الغاليوم في إنتاج الخلايا الكهروضوئية.
Ga doped السيليكون رقاقة الطاقة الشمسية
Ga doped السيليكون الطاقة الشمسية رقاقة 210mm M12 G12
Ga doped السيليكون الطاقة الشمسية رقاقة 166mm M6
Ga doped السيليكون الطاقة الشمسية رقاقة 161.7mm M4
Ga doped السيليكون الطاقة الشمسية رقاقة 158.75mm G1 مربع كامل
Ga doped السيليكون الطاقة الشمسية رقاقة 156.75mm M2
