تحدد هذه المواصفات رقائق السيليكون أحادية البلورة من النوع N (حجم M10) للخلايا الشمسية المتقدمة. يتم إنتاج رقائق من خلال طريقة Czochralski مع المنشطات الفوسفور ، وتتميز الرقاقات بتركيز منخفض الأكسجين (حتى 8E17 AT/CM³) ، وتركيز منخفض الكربون (حتى 5E16 AT/CM³) ، وكثافة حفرة الحفر تصل إلى 500 سم مربع ، والتوجه السطحي الدقيق خلال 3 درجات من الدرجات<100>.
تشمل الخواص الكهربائية الرئيسية نطاق مقاومة من 1.0 إلى 7.0 Ω.CM وعمر الناقل الأقلية العالي (الحد الأدنى 1000 μs).
تتمتع الرقاقات بمحسّنة هندسة زائفة مربع بطول جانبي 182 مم (التسامح 0.25 مم) ، قطرها 247 مم (التسامح 0.25 مم) ، والجوانب المجاورة في 90 درجة (التسامح 0.2 درجة). متوفر في سماكة من 150 إلى 180 ميكرون (مع التحمل) ، فهي تضمن الحد الأدنى من تباين السمك (TTV الحد الأقصى 27 ميكرون). يتم التحكم في جودة السطح بشكل صارم ("كقطعة وتنظيف") ، مما يحظر التلوث والكشف الدقيق ، مع حدود على علامات المنشار (كحد أقصى 15 ميكرون) ، القوس ، والتشوه (الحد الأقصى 40 ميكرون لكل منهما). يدعم هذا التنسيق الكبير تحول الصناعة نحو التقاط الضوء الأمثل.
1. خصائص المواد
|
ملكية |
مواصفة |
طريقة التفتيش |
|
طريقة النمو |
CZ |
|
|
البلورة |
أحادي البلورة |
تقنيات الحفر التفضيلية(ASTM F47-88) |
|
نوع الموصلية |
n-type |
نابسون EC-80TPN |
|
Dopant |
الفسفور |
- |
|
تركيز الأكسجين [OI] |
أقل من أو يساوي8e +17 في/سم3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
تركيز الكربون [CS] |
أقل من أو يساوي5e +16 في/سم3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
كثافة حفرة الحفر (كثافة الخلع) |
أقل من أو يساوي500 سم-2 |
تقنيات الحفر التفضيلية(ASTM F47-88) |
|
اتجاه السطح |
<100>± 3 درجة |
طريقة حيود الأشعة السينية (ASTM F26-1987) |
|
اتجاه الجوانب المربعة الزائفة |
<010>,<001>± 3 درجة |
طريقة حيود الأشعة السينية (ASTM F26-1987) |
2. الخصائص الكهربائية
|
ملكية |
مواصفة |
طريقة التفتيش |
|
المقاومة |
1.0-7.0 ω.cm
|
نظام تفتيش الرقاقة |
|
MCLT (عمر الناقل الأقلية) |
أكبر من أو تساوي 1000 µ |
Sinton BCT-400
عابر
(مع مستوى الحقن: 5E14 سم-3)
|
3. القياس
|
ملكية |
مواصفة |
طريقة التفتيش |
|
الهندسة |
مربع الزائفة |
|
|
شكل حافة مطفقة
|
دائري | |
|
طول جانب الويفر |
182 ± 0.25 مم
|
نظام فحص الرقاقة |
|
قطر الرقاقة |
φ247 ± 0.25 مم |
نظام فحص الرقاقة |
|
زاوية بين الجوانب المجاورة |
90 درجة ± 0.2 درجة |
نظام فحص الرقاقة |
|
سماكة |
180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
|
نظام فحص الرقاقة |
|
TTV (تباين السماكة الكلية) |
أقل من أو يساوي 27 µm |
نظام فحص الرقاقة |
4.خصائص السطح
|
ملكية |
مواصفة |
طريقة التفتيش |
|
طريقة القطع |
DW |
-- |
|
جودة السطح |
كما قطع وتنظيف ، لا يُسمح بأي تلوث مرئي ، (زيت أو شحوم ، مطبوعات الأصابع ، بقع الصابون ، بقع الملاط ، بقع الإيبوكسي/الغراء) |
نظام فحص الرقاقة |
|
شاهد علامات / خطوات |
أقل من أو يساوي 15µm |
نظام فحص الرقاقة |
|
قَوس |
أقل من أو يساوي 40 ميكرون |
نظام فحص الرقاقة |
|
الاعوجاج |
أقل من أو يساوي 40 ميكرون |
نظام فحص الرقاقة |
|
رقاقة |
عمق أقل من أو يساوي 0.3 ملم وطول أقل من أو يساوي 0.5 ملم كحد أقصى 2/أجهزة الكمبيوتر ؛ لا رقاقة V. |
عيون عارية أو نظام فحص الرقاقة |
|
الشقوق / الثقوب الصغيرة |
غير مسموح |
نظام فحص الرقاقة |
الوسم : N-type M10 Monocrystalline Silicon Wefer Specification ، الصين ، الموردين ، المصنعين ، المصنع ، مصنوع في الصين
